12月17-19日，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件分會(huì)主辦的“第七屆全國(guó)新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)暨2021半導(dǎo)體功率器件技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展論壇"在重慶隆重召開。活動(dòng)邀請(qǐng)了半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)、知M高校、科研機(jī)構(gòu)等專家學(xué)者齊聚一堂，共話半導(dǎo)體功率器件技術(shù)創(chuàng)新前沿話題。

廣電計(jì)量作為唯YI一家第三方計(jì)量檢測(cè)機(jī)構(gòu)受邀參展，現(xiàn)場(chǎng)展示產(chǎn)品全壽命周期檢測(cè)與失效分析技術(shù)服務(wù)方案，廣電計(jì)量半導(dǎo)體技術(shù)副總監(jiān)李汝冠博士在會(huì)上帶來《SiC 功率器件的可靠性測(cè)試需求》主題報(bào)告。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。當(dāng)前，世界正經(jīng)歷百年未有之大變局，以新一代信息技術(shù)為代表的新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革正蓬勃興起，半導(dǎo)體作為信息基礎(chǔ)的基石，在國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展中的地位進(jìn)一步凸顯，而半導(dǎo)體功率器件作為重要的基礎(chǔ)環(huán)節(jié)，其發(fā)展水平直接決定了產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。

圍繞半導(dǎo)體功率器件的技術(shù)創(chuàng)新話題，廣電計(jì)量半導(dǎo)體技術(shù)副總監(jiān)李汝冠發(fā)表題為《SiC 功率器件的可靠性測(cè)試需求》的主題演講。李汝冠介紹，碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)，在“新基建"七大領(lǐng)域及“雙碳"領(lǐng)域起到至關(guān)重要的作用，應(yīng)用前景光明。然而，其可靠性缺乏長(zhǎng)期、大規(guī)模應(yīng)用的歷史數(shù)據(jù)支撐，需要經(jīng)過大量測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證。用于驗(yàn)證Si器件長(zhǎng)期穩(wěn)定性的許多方法可以直接應(yīng)用到SiC上，但是目前SiC的失效機(jī)理尚未*掌握，需要嘗試增加各種方式來激發(fā)SiC的失效。對(duì)此，李汝冠重點(diǎn)解析了SiC需要額外增加的可靠性試驗(yàn)，引起現(xiàn)場(chǎng)參會(huì)人員的高度關(guān)注。

據(jù)介紹，廣電計(jì)量已具備完善的半導(dǎo)體芯片與元器件解決方案，是國(guó)內(nèi)極少數(shù)已完成AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q102、AEC-Q104、AEC-Q200完整驗(yàn)證報(bào)告的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)，可為電動(dòng)汽車、5G通信、軌道交通等領(lǐng)域的IGBT和以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體器件提供可靠性驗(yàn)證服務(wù)，并對(duì)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和工藝改進(jìn)提供分析和建議。

作為半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)服務(wù)領(lǐng)域的重要力量，廣電計(jì)量已在上海、廣州建立了半導(dǎo)體檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室，累計(jì)投入300多臺(tái)套檢測(cè)分析設(shè)備，由10余名博士、專家組成了高水平技術(shù)隊(duì)伍，持續(xù)為數(shù)十家半導(dǎo)體行業(yè)知M企業(yè)提供了各類測(cè)試、驗(yàn)證與分析服務(wù)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈質(zhì)量提升。